（原标题：碳纳米管kaiyun.com，改换半导体行业）

若是您但愿不错无为碰头，见谅标星储藏哦~

开始：骨子来自electronicdesign，谢谢。

受东谈主工智能和超贯穿性普及的鼓舞，瞻望半导体行业范围将在改日十年内翻一番。但是，尽管微芯片（从智妙手机到救命医疗修复等一切家具的基础）的需求量空前高潮，但它们也面对着眉睫之内的时刻窘境。

高数值孔径 EUV 光刻中的微型化挑战

晶体管不休微型化，削弱至 3 纳米及以下，这需要竣工的执行和制造。在总共这个词 21 世纪，这种令东谈主难以置信的削弱趋势（从 90 纳米到 7 纳米及更小）创举了时刻跨越的新期间。

在往日十年中，咱们见证了将500 亿个晶体管安设到单个芯片上的惊东谈主豪举。这一建树收获于极紫外 (EUV) 光刻时刻，这是一种使用 EUV 光的顶端工艺。EUV 光刻时刻不错打印比以前更细巧的集成电路 (IC) 图案，因为它的波长 (13.5 nm) 比传统深紫外 (DUV) 光刻时刻 (193 nm) 中使用的波瑕瑜得多。

半导体制造业的结合者们正争相将这些系统部署到深广量坐褥中，第一批高数值孔径 (High-NA) EUV 器具照旧安设完毕。这些复杂的机器有望进一步削弱特征尺寸，同期升迁坐褥效用。但是，尽管获取了进展，但在 EUV 光刻经过中已矣零流毒的要道挑战仍然存在。

图中炫耀的是用于 EUV 光刻的 Canatu 碳纳米管 EUV 薄膜和光掩模的示例。

EUV 芯片制造中的流毒窘境

流毒不息对现在坐褥的芯片的性能和可靠性产生负面影响。在芯片制造经过的每个花式中，尽量减少造作十分进犯。EUV 掩模是一种高精度模板，用于半导体制造经过中在硅片上创建复杂的图案。它充任模板，各异晶圆的某些区域知晓在 EUV 光下，从而将所需的图案蚀刻到硅片上。

在运行阶段，在 EUV 掩模插足扫描仪之前，可能会出现三种常见类型的流毒：名义流毒（组成很多不雅察到的流毒）是由分层经过中知晓的底层材料引起的。其次，层内拿获的细小颗粒可能来自运行材料或构造经过中的顾问。终末，分层经过可能会不测中在掩模名义产生流毒，这些流毒要么被十足秘密，要么被部分秘密。

下一阶段，光掩模也可能出现流毒，因为 EUV 扫描仪自己可能等于流毒的开始。扫描仪内的顶点条目（如高温柔高功率）可能会在曝光经过中将流毒引入掩模。

在高功率 EUV 光刻经过中，温度会升至接近1,000°C，传统的 EUV 谨防膜不错提供保护，但它们在加工经过中的劣化可能融会过热变形或浑浊物开释等机制损伤掩模版和扫描仪。最进犯的是，若是由传统金属硅化物制成的谨防膜突破，它们会像玻璃相似龙套，酿成无谓要的、代价不菲的停机。

碳纳米管(CNT) 膜擅长过滤浑浊物以保护光掩模，但它们的功能远不啻这一主邀功能，Canatu对此也十分了解。诚然为 EUV 薄膜筹算的超薄 CNT 相聚不错最大逝世地升迁 EUV 透射率，同期保执出色的颗粒过滤恶果，但更厚、更坚固的 Canatu CNT 膜也可用作光化掩模搜检的碎屑过滤器。这种特殊时刻用于在 EUV 掩模插足扫描仪之前搜检光掩模。

即使如今半导体制造时刻获取了诸多跨越，铩羽光掩模上的无益颗粒酿成流毒仍然是一项制造挑战。理念念情况下，通过戒指和减少杂质的存在，晶圆厂不错升迁产量，从而已矣更一致的芯片性能。但是，这一范围的性能仍然刚劲地停滞不前。

碳纳米管在 EUV 光刻效用中的作用

比年来，CNT 在 EUV 光刻经过中保护光掩模免受流毒影响的后劲才冉冉受到存眷。事实上，CNT 光刻胶是升迁 EUV 光刻产量和性能的要道身分：CNT 光刻胶由于其更高的透射率，揣摸可将坐褥率升迁 7% 至 15%，从而使半导体性能更进一竿。

Canatu 为 EUV 薄膜拓荒了先进的 CNT 膜（图 2），具有特有的性能组合。未涂层的 Canatu CNT 膜在 EUV 下具有高透射率（> 97%T）、最小眩光（< 0.2%）和真空下高热通晓性（> 1,500°C）。

Canatu CNT 可用于 EUV 薄膜、X 射线窗口和其他 EUV 利用。

高透射率意味着更多的 EUV 光穿过薄膜到达晶圆，从而升迁产量。低光斑（散射）确保即使是最细小的特征也不错高精度地打印在晶圆上，而不会酿成图案失真。高耐热性、化学惰性和高压差耐受性确保基于 CNT 膜的 EUV 薄膜不详承受下一代高功率扫描仪环境的热烈抽真空和透风轮回，同期保执其光学特点。

ASML 称，最先进的高数值孔径 EUV 扫描仪将引入很是 500 W 的高功率水平，升迁光学系统的聚焦和相聚色泽的智商（即数值孔径 NA 从 0.33 到 0.55），提供更高分散率的成像智商。功率水平的升迁平直有助于升迁每小时晶圆产量 (WPH)。举例，400 W 光源每小时可打印 160 片晶圆，而 500 W 光源每小时可打印很是185 片晶圆。

但是，较高的功率水和缓掩模版（光罩）应力将产生传统材料无法承受的高热负荷，从而导致薄膜变形，或者在其他情况下导致薄膜像玻璃相似破灭。

与 ASML 在 2023 年 SPIE 大会上的最新指摘相呼应，碳纳米管（图 3）正在成为高功率扫描仪 EUV 薄膜最有前途的材料。不息相干和拓荒基于 CNT 膜的 EUV 薄膜时刻关于充分发达自后劲至关进犯，但它对芯片制造改日的前途是不行否定的。

Canatu CNT 具有很多特点，包括：比纸张薄 100,000 倍、强度比钢高 100 倍、厚度为 1 至 2 纳米。

CNT 薄膜：精密芯片的纯度

跟着 EUV 光刻时刻澈底改换了半导体制造业，CNT 膜成为保护光掩模在掩模搜检和 EUV 光刻工艺中免受浑浊的理念念聘任，同期确保芯片坐褥更清洁、更精准。CNT 的不凡性能使其成为 EUV 光刻时刻的多功能和面向改日的材料，可减少流毒、升迁制品率，并最终已矣坐褥更小、更快、更可靠的芯片——这是咱们不休发展的时刻口头的基石。

https://www.electronicdesign.com/technologies/industrial/article/55260156/canatu-transformative-impact-of-carbon-nanotubes-in-the-semiconductor-industry

半导体宏构公众号保举

专注半导体范围更多原创骨子

存眷民众半导体产业动向与趋势

*免责声明：本文由作家原创。著作骨子系作家个东谈主不雅点，半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点，不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或相沿，若是有任何异议，见谅干系半导体行业不雅察。

今天是《半导体行业不雅察》为您共享的第4003期骨子，见谅存眷。

『半导体第一垂直媒体』

及时 专科 原创 深度

公众号ID：icbank

心爱咱们的骨子就点“在看”共享给小伙伴哦kaiyun.com